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ANWENDUNGEN

Halbleiter

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Für Halbleiteranwendungen können die Produkte von Sensofar kritische Abmessungen und Rauheiten charakterisieren und eine Defektprüfung durchführen. Häufig erfolgen diese Messungen innerhalb der Back-End-Verpackung des Herstellungsprozesses.

Siliziumcarbid-Wafer

Siliziumkarbid (Si-C)-Wafer haben erstaunliche elektrische und thermische Eigenschaften, die sie zu einem Muss für bestimmte Anwendungen, wie 5G-Chips machen. Da CVD (Chemical Vapor Deposition) in ihrer Herstellung verwendet wird, hilft die Charakterisierung ihrer Oberflächenbeschaffenheit zu verstehen, ob das Kristallwachstum homogen verlaufen wird. Höhen-, Hybrid- und Raumparameter in SensoVIEW ermöglichen eine Charakterisierung der Kristalle.

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Halbleiter
Step Height topography

Geätzte Schaltung

Nach einem Ätzprozess ist es typisch, die Höhe der resultierenden Merkmale zu prüfen. Das SensoPRO Step Height Plugin erkennt, unabhängig vom zu analysierten Muster, die die beiden Höhenlevel der zu messenden Struktur. Um die beste Genauigkeit bei der Messung zu gewährleisten, wird Interferometrie verwendet.

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Step Height topography
Cross Kerf topography

3D-Kreuz Kerf

Die Chipsegmentierung hat zwei Hauptdimensionen zu charakterisieren: die Höhe, um sicherzustellen, dass der Boden nicht beschädigt wurde, und die Breite, die ein Maß für die Qualität des Schnitts ist. Das Cross-Kerf-Plugin erkennt nicht nur das Kreuz und extrahiert die gewünschten Parameter, sondern nivelliert auch die Oberfläche, um sicherzustellen, dass ein vorhandener Winkel im Wafer die extrahierten Daten nicht beeinflusst. Das hohe Seitenverhältnis dieser Dimensionen ist eine Herausforderung und nur Ai Focus Variation kann diese Anwendung lösen.

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Hole topography

Passivierungsschichtloch

Passivierungsschichtlöcher bestimmen den Zugang von Drahtbonden auf einem Chip. Das
Hole-Plugin ist in dieser Anwendung nützlich, da es Löcher von 50 μm bis 2 mm Durchmesser messen kann.

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Hole topography
Thin film & spectroscopic reflectometry topography

Dünnschichtmessung

in Vertiefungen

Der S neox übertrifft die Anwendungen für die spektroskopische Reflektometrie, da es innerhalb von Löchern mit sehr kleinen Durchmessern Dünnschichten messen kann! Mit einer minimalen Spotgröße von nur 3µm!

Hole topography

Wafer warping through structure measurement

This wafer has been through different processes which explain its characterization: firstly, a texturizing process, making it quite rough and, consequently, measurable with the S wide.

Secondly, an epitaxy growth has been carried out and with it the wafer has been exposed to high temperatures, leading to potential wafer deformation. To assess that, we have measured the distances between its structures with SensoVIEW, to see if they match the expected lengths.

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Wafer warping through structure measurement

Sonstige Anwendungen

Lösungen

Berührungslose 3D-Oberflächenmesstechnik

S neox 3D optical systems for Industry and research
S wide 3D optical systems for Industry and research
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Integrierbare Messtechnik

Integrable Head S wide
Integrable Head S neox
Integratable Head S mart
Integratable Head S onix
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